JC/T 2143-2012 四方相氧化锆多晶陶瓷材料 检测标准

2019-09-26  浏览:985

1 范围

本标准规定了四方相氧化锆陶瓷材料的化学组成和性能要求、试验方法等。

本标准适用于常压烧结的氧化钇部分稳定的四方相氧化锆陶瓷材料。

2 规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T 6569 精细陶瓷弯曲强度试验方法

GB/T 18114.8 独居石精矿化学分析方法 氧化钇量的测定

GB/T 23806 精细陶瓷断裂韧性试验方法单边预裂纹梁(SEPB)法

GB/T 25995 精细陶瓷密度和显气孔率试验方法

JC/T 2015-2010 四方相氧化锆陶瓷老化性能测定方法

YS/T 568.1 氧化锆、氧化铪化学分析方法 氧化锆和氧化铪合量的测定 苦杏仁酸重量法

YS/T 568.2 氧化锆、氧化铪化学分析方法 铁量的测定 磺基水杨酸分光光度法

YS/T 568.4 氧化锆、氧化铪化学分析方法 铝量的测定 铬天青S-氯化十四烷基吡啶分光光度法

3 材料化学组成和性能要求

材料化学组成和性能要求见表1。

四方相氧化锆多晶陶瓷材料检测标准表1

4 试验方法

4.1 化学组成

4.1.1 ZrO2+HfO2+Y2O3含量

Zr02+HfO2含量按照YS/T 568.1 规定的方法进行测定,Y2O3含量按照GB/T 18114.8规定的方法进行测定。按照测定结果计算ZrO2+HfO2+Y2O3含量。

4.1.2 Fe2O3含量

按照YS/T 568.2 规定的方法进行测定。

4.1.3 Al2O3含量

按照YS/T 568.4 规定的方法进行测定。

4.2 体积密度

按照GB/T 25995 规定的方法进行测定。

4.3 平均晶粒尺寸

4.3.1 原理

采用扫描电子显微镜拍摄的显微结构照片,测定同一方向上的晶粒数值,根据标定的放大倍数计算平均晶粒尺寸。

4.3.2 仪器设备

a)研磨和抛光设备;

b)用于表面热腐蚀的温度可达1400℃的电炉;

c)扫描电子显微镜。

4.3.3 试样制备

a)试样采用和实际生产制品相同原料,相同成型和烧结工艺制备,试样数不少于5根;

b)切割试样并抛光切面;

c)在低于烧结温度200℃的条件下对抛光面进行热腐蚀。

注:不同氧化锆陶瓷材料的腐蚀条件可能不同。

4.3.4 试验步骤

a)采用标准的网格线标定扫描电子显微镜放大倍数;

b)拍摄抛光热腐蚀后试样表面的显微结构照片,在试样表面等分区域拍照,照片数不少于10张,照片中的晶粒数不少于250粒;

c)每张照片沿平行于底部、垂直于底部、对角线方向各取三条线,每条线上晶粒数不少于20粒,根据标定后的放大倍数,计算这张照片上的平均晶粒尺寸。

4.3.5 结果计算

平均晶粒尺寸即为每根试样的所有照片上平均晶粒尺寸的平均值,标准偏差应小于0.18。

4.4 单斜相氧化锆含量

试样采用和实际生产制品相同原料、相同成型和烧结工艺制备,单斜相氧化锆含量按照JC/T 2015-2010 中6.3的规定的方法进行测定。

4.5 弯曲强度

按照GB/T 6569 规定的方法进行测定。

4.6 老化性能

试样采用和实际生产制品相同原料、相同成型和烧结工艺制备,按照JC/T 2015-2010 中第6章规定的方法进行常规老化性能试验,然后分别测定试样的单斜相含量和残余弯曲强度。

4.7 断裂韧性

按照GB/T 23806 规定的方法进行测定。

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下载地址:《JC/T 2143-2012 四方相氧化锆多晶陶瓷材料

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